就存儲器產(chǎn)業(yè)而言，要想發(fā)展壯大，在國際市場(chǎng)中發(fā)揮影響力，先進(jìn)的工藝技術(shù)、知識產(chǎn)權和大規模量產(chǎn)能力都是必要條件。而這些條件至少需要10年時(shí)間或許才能形成。由此可見(jiàn)，存儲器產(chǎn)業(yè)的進(jìn)入門(mén)檻相當高。中國存儲芯片仍有很長(cháng)一段路要走。

首先，自主創(chuàng )新是成敗的關(guān)鍵所在。作為后進(jìn)者，盡管中國存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，特別是在初期階段，需要國家的大力支持。但是政府的力量只能是協(xié)助，而不能成為依賴(lài)。自立自強始終是企業(yè)成敗的關(guān)鍵，這是中國半導體產(chǎn)業(yè)幾十年發(fā)展得出的經(jīng)驗。

其次，國家的支持必不可少。從美國、日本、韓國的經(jīng)驗可以看出，存儲芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，政府都發(fā)揮了重要作用。比如日本通產(chǎn)省牽頭組建“VLSI聯(lián)合研發(fā)體”，對存儲芯片技術(shù)的開(kāi)發(fā)，比如韓國公司在韓國國有銀行支持下，以低廉的資金成本，采用最新的技術(shù)大量建廠(chǎng)，通過(guò)規?；档统杀?，進(jìn)行“反周期投資”擠壓對手。中國存儲芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也離不開(kāi)國家的支持，在戰略層面，整合各方資源，從資金、人才給予支持，以求在技術(shù)工藝上盡快實(shí)現突破。同時(shí)也要注意，國家支持不能代替企業(yè)行為，任何決策都要以市場(chǎng)為依據。

第三，存儲產(chǎn)業(yè)由IDM廠(chǎng)商主導這是行業(yè)的大趨勢。目前，行業(yè)內對于存儲芯片發(fā)展模式仍存有一定討論。IDM是主流的存儲企業(yè)發(fā)展模式。三星、SK海力士、美光等無(wú)一例外都是IDM廠(chǎng)商，都有自己的晶圓制造廠(chǎng)與封測廠(chǎng)，產(chǎn)業(yè)布局相當完善，而且整個(gè)存儲產(chǎn)業(yè)中幾乎沒(méi)有獨立的Fabless廠(chǎng)商。這是因為存儲器是高度標準化的產(chǎn)品，難度是提升存儲密度。制造難度在于設計者與制造者之間的協(xié)高和交流必須十分頻繁，且存儲企業(yè)往往需要嚴格把控核心技術(shù)，代工模式很難做到這一點(diǎn)。此外，隨著(zhù)工藝技術(shù)水平的提升，存儲芯片生產(chǎn)線(xiàn)的建廠(chǎng)成本呈指數級增長(cháng)，新工藝的研發(fā)需要大量的人力和財力支持。IDM企業(yè)所得利潤比分工模式更集中。

第四，應當建立本土的分析市場(chǎng)機構。從歷史發(fā)展經(jīng)驗來(lái)看，存儲器產(chǎn)業(yè)是一個(gè)周期波動(dòng)的產(chǎn)業(yè)。行業(yè)處于上行周期時(shí)，各廠(chǎng)商不斷引入新工藝縮小產(chǎn)品尺寸，并擴廠(chǎng)增加產(chǎn)能。而處于行業(yè)下行周期時(shí)，各廠(chǎng)則不斷降價(jià)出貨以努力維持市場(chǎng)份額，廠(chǎng)商擴張產(chǎn)能，技術(shù)迭代等因素導致市場(chǎng)供應出現劇烈波動(dòng)，造成市場(chǎng)特殊的周期性風(fēng)暴。在我國將發(fā)展存儲器產(chǎn)業(yè)作為國家戰略的大背景下，考慮到存儲器產(chǎn)業(yè)本身的周期波動(dòng)和不確定性，以及長(cháng)期大投入、高風(fēng)險特性，因此，應當盡快建立并完善行業(yè)定期監測分析和預警機制，無(wú)論從國家層面還是從產(chǎn)業(yè)層面，都是一件非常有意義的事情。